数据列表：IPB065N15N3 G

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：130A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 270µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：93nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：7300pF @ 75V

功率 - 最大值：300W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商器件封装：PG-TO263-7

其它名称：IPB065N15N3 G E8187-NDIPB065N15N3GE8187ATMA1SP000939336